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IDH03G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 3A, TO220AC

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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IDH09G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 9A, TO220AC

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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IDH10G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 10A, TO220AC

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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IDH16G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 16A, TO220AC

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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IDH20G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 20A, TO220AC

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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IDW10G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 10A, TO247

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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IDW12G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 12A, TO247

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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IDW20G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 20A, TO247

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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IDW40G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 40A, TO247

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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IDH04G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 4A, TO220AC

5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung

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