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TSAL 4400 - Infrarot-Diode, GaAlAs, 940 nm, 50°, 3 mm, T1
Hochleistungs-Infrarot-Emittierende Diode, 940 nm, GaAlAs, MQWBeschreibungenTSAL4400 ist eine infrarot 940 nm emittierende Diode in GaAlAs-, MQW-Technologie mit hoher Strahlungsleistung, die in einem blaugrauen Kunststoffgehäuse gegossen ist.Merkmale• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuse-Form: T-1• Abmessungen (in mm): Ø 3• Spitzen-Wellenlänge: ?p = 940 nm• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsleistung• Hohe Strahlungsintensität• Winkel der Intensität: ± 25°• Niedrige Durchlassspannung• Geeignet für Betrieb mit hohem Impulsstrom• Gute spektrale Anpassung mit Si-Photodetektoren• Gehäuse stimmt mit Detektor TEFT4300 übereinApplikationen>• Infrarot-Fernbedienungen• Freie Luft-Übertragungssysteme• Infrarot-Quelle für optische Zähler und Kartenleser- Shop: reichelt elektronik
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650nm Bluthochdruck-Lasertherapie-Armbanduhr Home High Fat Blood Laser-Behandlung
Technische Parameter: Lasermedium: GaAlAs Semiconductor Laserwellenlänge: 650 nm Endlasermedium: 6 Stück Einzellaserleistung:- Shop: ManoMano
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650nm Bluthochdruck-Lasertherapie-Armbanduhr Home High Fat Blood Laser-Behandlung
Technische Parameter: Lasermedium: GaAlAs Semiconductor Laserwellenlänge: 650 nm Endlasermedium: 6 Stück Einzellaserleistung:- Shop: ManoMano
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L-7104SF4BT KB - Infrarot-Diode, GaAlAs, 880 nm, 50°, 3 mm, T1
L-7104SF4BT GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 3mm , T-1 BeschreibungF3 Hergestellt mit Galliumarsenid-Infrarot-Emitterdioden.SF4 Hergestellt mit Gallium-Aluminium-Arsenid emittierenden Dioden.Merkmale• Mechanisch und spektral an den Phototransistor angepasst• Blau-transparente Linse• RoHS-konform.- Shop: reichelt elektronik
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TSAL6200 - Infrarot-Diode, GaAlAs, 940 nm, 34°, 5 mm, T-1 3/4
Hochleistungs-Infrarot-Emittierende Diode, 940 nm, GaAlAs, MQWBeschreibung TSAL6200 ist eine infrarote, 940 nm emittierende Diode in GaAlAs-Multi-Quantum-Well (MQW)-Technologie mit hoher Strahlungsleistung und hoher Geschwindigkeit, die in einem blaugrauen Kunststoffgehäuse gegossen ist.Eigenschaften:• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuseform: T-1¾• Abmessungen (in mm): Ø 5• Spitzen-Wellenlänge: 940 nm• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsleistung• Hohe Strahlungsintensität• Winkel der halben Intensität: ± 17°• Niedrige Durchlassspannung• Geeignet für Betrieb mit hohem Impulsstrom• Gute spektrale Anpassung mit Si-PhotodetektorenApplikationen:• Infrarot-Fernbedienungseinheiten mit hohem Leistungsbedarf• Freie Luft-Übertragungssysteme• Infrarot-Quelle für optische Zähler und Kartenleser- Shop: reichelt elektronik
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TSAL 6100 VIS - Infrarot-Diode, GaAlAs/GaAs, 940 nm, 20°, 5 mm, T-1 3/4
Hochleistungs-Infrarot-Emittierende Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAsBeschreibungenTSAL6100 ist eine infrarote, 940 nm emittierende Diode in GaAlAs/GaAs-Technologie mit hoher Strahlungsleistung, die in ein blaugraues Kunststoffgehäuse gegossen ist.Merkmale• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuse-Form: T-1¾• Abmessungen (in mm):Ø 5• Spitzen-Wellenlänge: ?p = 940 nm• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsleistung• Hohe Strahlungsintensität• Winkel der halben Intensität: ? = ± 10°• Niedrige Durchlassspannung• Geeignet für Betrieb mit hohem Impulsstrom• Gute spektrale Anpassung mit Si-PhotodetektorenApplikationen>• Infrarot-Fernbedienungseinheiten mit hohem Leistungsbedarf• Freie Luft-Übertragungssysteme• Infrarot-Quelle für optische Zähler und Kartenleser• IR-Quelle für Rauchmelder- Shop: reichelt elektronik
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TSFF 5210 VIS - Infrarot-Diode, GaAlAs, 870 nm, 20°, 5 mm, T-1 3/4
Hochgeschwindigkeits-Infrarot-Emittierende Diode, 870 nm, GaAlAs-Doppel-HeteroBeschreibungenTSFF5210 ist eine infrarote, 870 nm emittierende Diode in GaAlAs-Doppelhetero (DH)-Technologie mit hoher Strahlungsleistung und hoher Geschwindigkeit, die in einem klaren, ungetönten Kunststoffgehäuse gegossen ist.Merkmale• Gehäusetyp: bedrahtet• Gehäuse-Form: T-1¾• Abmessungen (in mm): Ø 5• Beinchen mit Abstandshalter• Spitzen-Wellenlänge: ?p = 870 nm• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsleistung• Hohe Strahlungsintensität• Winkel der halben Intensität: ? = ± 10°• Niedrige Durchlassspannung• Geeignet für Betrieb mit hohem Pulsstrom• Gute spektrale Anpassung mit Si-PhotodetektorenAnwendungen• Infrarot-Videodatenübertragung zwischen Camcorder undFernseher• Freiluft-Datenübertragungssysteme mit hoher ModulationAnforderungen an Frequenzen oder hohe Datenübertragungsraten• Automatische Rauch-Brandmelder- Shop: reichelt elektronik
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Kingbright - 2.5 x 5mm rectangular led lamp red diffused (L-383SRDT)
Technische Daten case: 2.5 x 5mm emitting colour + material: GaAlAs Wellenlänge: 660nm case colour: red diffused Lichtstärke: 40 - 80mcd (at If=20mA) viewing angle: 110°- Shop: ManoMano
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EL IR 204-A - Infrarot-Diode, GaAlAs, 940 nm, 35°, 3 mm, T1
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 3mm , T-1 Beschreibungen- Die Infrarot-Emitterdiode von EVERLIGHT (IR204-A) ist eine Hochintensitätsdiode, die in ein blaues, transparentes Kunststoffgehäuse eingegossen ist.• Das Gerät ist spektral mit einem Fototransistor, einer Fotodiode und einem Infrarot-Empfängermodul abgestimmt.Merkmale• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsintensität• Spitzen-Wellenlänge ?p=940nm• 2,54 mm Leitungsabstand• Niedrige Durchlassspannung• Pb frei• Dieses Produkt selbst bleibt innerhalb der RoHS-konformen Version.Anwendungen• Angewandtes Infrarot-System- Shop: reichelt elektronik
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IR 333A EVL - Infrarot-Diode, GaAlAs, 940 nm, 20°, 5 mm, T1 3/4
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 5mm , T-1 3/4Beschreibungen• Die Infrarot-Emitterdiode von EVERLIGHT (IR333-A) ist eine Hochintensitätsdiode, die in ein blaues, transparentes Kunststoffgehäuse eingegossen ist.• Das Gerät ist spektral mit einem Fototransistor, einer Fotodiode und einem Infrarot-Empfängermodul abgestimmt.Merkmale• Hohe Zuverlässigkeit• Hohe Strahlungsintensität• Spitzen-Wellenlänge ?p=940nm• 2,54 mm Leitungsabstand• Niedrige Durchlassspannung• Pb frei• Das Produkt selbst bleibt innerhalb der RoHS-konformen Version.Anwendungen• Infrarot-Fernbedienungseinheiten mit hohem Leistungsbedarf• Rauchmelder• Angewandtes Infrarot-System- Shop: reichelt elektronik
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