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  STP10N60M2 - MOSFET N-Ch+Z-Dio 600V 7,5A 85W 0,6R TO220

  N-channel 600 V, 0.55 O typ., 7.5 A MDmesh™ M2 Power MOSFETsFeaturesExtremely low gate chargeExcellent output capacitance (COSS) profile100% avalanche testedZener-protectedApplicationsSwitching applications

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  STW26NM60N - MOSFET N-Ch 600V 20A 140W 0,165R TO247

  N-channel 600 V, 0.135 O typ., 20 A MDmesh™ II Power MOSFETFeatures100% avalanche testedLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceApplicationsSwitching applications

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  STW32NM50N - MOSFET N-Kanal, 500 V, 22 A, RDS(on) 0,1 Ohm, TO247

  N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh™ II Power MOSFETFeatures100% avalanche testedLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceApplicationsSwitching applications

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  Izadi-Najafabadi:Carbon Nanotube and Po

  Erscheinungsdatum: 04/2010, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Carbon Nanotube and Polypyrrole Supercapacitors, Titelzusatz: Capacitance, Energy and Power, Autor: Izadi-Najafabadi, Ali, Verlag: LAP Lambert Acad. Publ., Sprache: Englisch, Rubrik: Elektrizität // Magnetismus, Optik, Seiten: 612, Informationen: Paperback, Gewicht: 916 gr, Verkäufer: averdo

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  Xia:Graphene: a rising star

  Erscheinungsdatum: 03/2011, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Graphene: a rising star, Titelzusatz: Charge Transport and Quantum Capacitance of Graphene, Autor: Xia, Jilin, Verlag: VDM Verlag, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 132, Informationen: Paperback, Gewicht: 215 gr, Verkäufer: averdo

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  STP11NK40Z - MOSFET N-Ch+Z-Dio 400V 9A 110W 0,55R TO220

  N-channel 400 V, 0.47 O typ., 9 A SuperMESH Power MOSFETsFeatures• 100% avalanche tested• Gate charge minimized• Very low intrinsic capacitance• Zener-protectedApplications• Switching applications

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  IRFP90N20DPBF - MOSFET N-Kanal, 200 V, 94 A, Rds(on) 0,023 Ohm, TO-247AC

  HEXFET Power MOSFETApplications High frequency DC-DC convertersLead-FreeBenefitsLow Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching LossesFully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify DesignFully Characterized Avalanche Voltage and Current

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  Mariserla:Capacitance-based Biosensors

  Erscheinungsdatum: 02/2009, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Capacitance-based Biosensors for Continuous Monitoring of Glucose, Titelzusatz: Design, Fabrication and Testing of Multiple Sensor Architectures, Autor: Mariserla, Sandeep, Verlag: VDM Verlag, Sprache: Englisch, Rubrik: Technik // Sonstiges, Seiten: 88, Informationen: Paperback, Gewicht: 149 gr, Verkäufer: averdo

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  IXFR80N50P - MOSFET N-Ch 500V 45A 360W 0,072R TO247-Isoplus

  Power MOSFETISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesSilicon chip on Direct-Copper-Bond substrate- High power dissipation- Isolated mounting surface- 2500V electrical isolationLow drain to tab capacitance(

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  STP2NK100Z - MOSFET N-Kanal+Z-Dio, 1000 V, 1,85 A, RDS(on) 6,25 Ohm, TO220

  N-channel 1000 V, 6.25 O typ., 1.85 A SuperMESH™ Power MOSFETsFeatures• Extremely high dv/dt capability• 100% avalanche tested• Gate charge minimized• Very low intrinsic capacitance• Zener-protectedApplications• Switching applications

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