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    Erscheinungsdatum: 19.02.2016, Medium: Buch, Einband: Gebunden, Titel: Field Effect Transistors C, Autor: Valizadeh, Verlag: John Wiley & Sons, Sprache: Englisch, Schlagworte: TECHNOLOGY & ENGINEERING // Electronics // Semiconductors, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 472, Informationen: HC gerader Rücken kaschiert, Gewicht: 871 gr, Verkäufer: averdo
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    Erscheinungsdatum: 11/2010, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Polymeric Field Effect Transistors, Titelzusatz: The thesis deals with use of polymer transistor to study injection barriers and donor acceptor interfaces, Autor: Rao, Manohar, Verlag: LAP Lambert Acad. Publ., Sprache: Englisch, Rubrik: Physik // Astronomie, Sonstiges, Seiten: 172, Informationen: Paperback, Gewicht: 272 gr, Verkäufer: averdo
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    Erscheinungsdatum: 03/2009, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: FLOATING-GATE TRANSISTORS IN ANALOG AND MIXED-SIGNALCIRCUIT DESIGN, Titelzusatz: Programming, Design Methodology, and Applications, Autor: Ozalevli, Erhan, Verlag: VDM Verlag, Sprache: Englisch, Rubrik: Technik // Sonstiges, Seiten: 136, Informationen: Paperback, Gewicht: 219 gr, Verkäufer: averdo
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    Erscheinungsdatum: 14.03.2017, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Tunnel Field Effect Transistors Based on Two-Dimensional Materials, Titelzusatz: A Quantum Transport Study, Autor: Cao, Jiang, Verlag: Editions universitaires europeennes EUE, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 124, Informationen: Paperback, Gewicht: 201 gr, Verkäufer: averdo
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    Erscheinungsdatum: 28.02.2018, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Impression Laser de Transistors Organiques En Films Minces, Autor: Rapp-L, Verlag: ED UNIVERSITAIRES EUROPEENNES, Imprint: Omn.Univ.Europ., Sprache: Französisch, Schlagworte: SCIENCE // LITERARY CRITICISM // General // Physics // Physik, Rubrik: Literaturwissenschaft // Allgemeines, Lexika, Seiten: 196, Empfohlenes Alter: ab 1 Jahre // bis 17 Jahre, Reihe: Omn.Univ.Europ, Gewicht: 310 gr, Verkäufer: averdo
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    Erscheinungsdatum: 28.02.2018, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Les Transistors À Nanotube de Carbone À Barrières Schottky, Autor: Najari-M, Verlag: ED UNIVERSITAIRES EUROPEENNES, Imprint: Omn.Univ.Europ., Sprache: Französisch, Schlagworte: Technology & Industrial Arts // LITERARY CRITICISM // General // TECHNOLOGY & ENGINEERING // Engineering // Literatur: Geschichte und Kritik, Rubrik: Literaturwissenschaft // Allgemeines, Lexika, Seiten: 132, Empfohlenes Alter: ab 1 Jahre // bis 17 Jahre, Reihe: Omn.Univ.Europ, Gewicht: 215 gr, Verkäufer: averdo
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    Erscheinungsdatum: 15.03.2018, Medium: Buch, Einband: Gebunden, Titel: Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors for mm-Wave Systems Technology, Modeling and Circuit Applications, Redaktion: Rinaldi, Niccolò // Schröter, Michael, Verlag: River Publishers, Sprache: Englisch, Schlagworte: TECHNOLOGY & ENGINEERING // Electronics // Solid State, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 378, Informationen: HC gerader Rücken kaschiert, Gewicht: 733 gr, Verkäufer: averdo
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    Multifunktionales Transistortester zur automatischen Erkennung von NPN- und PNP-Transistoren, FET, Dioden, Dual-Diode, Thyristor, SCR, automatische Identifizierung des Transistors pinout. Es kann auch als Rechtecksignal und PWM-Signalgenerator verwendet werden. Eigenschaften: Digital-LCD-Display für einfache Messwerte können Daten und Grafiken gemessen Display. Drehschaltersteuerung, eine Schlüsselmessung für bequemen Gebrauch. Haupt-Chip ist der DIP, einfach für elektronische Enthusiasten DIY oder den Haupt-Chip aktualisieren. Verwenden 9V-Batterie (nicht im Lieferumfang enthalten), kann auch DC Spannung verwenden (DC 6.8-12V). Automatische Abschaltung, Shutdown-Strom beträgt nur etwa 20 nA. Erkennt automatisch NPN und PNP-Transistoren, FET, Dioden, Dual-Diode, Thyristor, SCR, automatische Identifizierung des Transistors pinout. Test NPN und PNP-Transistor-Emitter-gemeinsamer Stromverstärkungsfaktor, die Basis-Emitter-Schwellenspannung, weg von dem Kollektor - Emitter-Leckstrom.
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    Multifunktionstransistortester zur automatischen Erkennung von NPN- und PNP-Transistoren, FET, Dioden, zwei Dioden, Thyristoren, SCR, automatische Identifizierung des Transistors pinout. Es kann auch als Rechtecksignal und PWM-Signalgenerator verwendet werden. Eigenschaften: Digital-LCD-Display für einfache Messungen können Messdaten und Grafiken angezeigt werden. Drehschalter-Steuerung, ein Schlüssel Messung für die bequeme Nutzung. Haupt Chip ist der DIP, einfach für die elektronische Enthusiasten DIY oder den Hauptchip aktualisieren. Verwenden 9V-Batterie (nicht im Lieferumfang enthalten), können auch DC Spannung verwenden (DC 6.8-12V). Automatische Abschaltung, Shutdown-Strom beträgt nur etwa 20 nA. Erkennt automatisch NPN und PNP-Transistoren, FET, Dioden, Dual-Diode, Thyristor, SCR, automatische Identifizierung des Transistors Pinout. Test NPN und PNP-Transistor mit gemeinsamem Emitter Stromverstärkungsfaktor, wobei die Basis-Emitter-Schwellenspannung von der Kollektor
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    Erscheinungsdatum: 18.05.2018, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: GaN-Based Tri-Gate High Electron Mobility Transistors., Autor: Ture, Erdin, Verlag: Fraunhofer Verlag, Sprache: Englisch, Rubrik: Wärme- // Energie-, Kraftwerktechnik, Seiten: 170, Informationen: Paperback, Gewicht: 259 gr, Verkäufer: averdo
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