363 Results for : mosfets
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Sreedharan Pillai:Optimisation of Groov
Erscheinungsdatum: 20.06.2012, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Optimisation of Grooved Gate MOSFETS for SUB-100 NM VLSI Technology, Titelzusatz: Processes, Methods and Models, Autor: Sreedharan Pillai, Sreelal // Ganesh Shankar, Samudra, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 128, Informationen: Paperback, Gewicht: 209 gr, Verkäufer: averdo- Shop: averdo
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Maramraju Venkata:Nano LaAlO3 & Simulat
Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Nano LaAlO3 & Simulation Comparisons of High K Dielectric MOSFETs, Titelzusatz: Improving efficiency of MOSFET using nano LaAlO3 oxide layer, Autor: Maramraju Venkata, Manasa // Kalagadda, Bikshalu // Kalagadda, Venkateswara Rao, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Technik // Sonstiges, Seiten: 120, Informationen: Paperback, Gewicht: 195 gr, Verkäufer: averdo- Shop: averdo
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STP26NM60N - MOSFET N-Kanal, 600 V, 20 A, RDS(on) 0,165 Ohm, TO-220
N-Kanal 600 V, 0,135 O typ., 20 A MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs in D²PAK- und TO-220-GehäusenBeschreibungBei diesen Bauelementen handelt es sich um N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die unter Verwendung der zweiten Generation der MDmesh™ Technologie entwickelt wurden. Dieser revolutionäre Power-MOSFET verbindet eine vertikale Struktur mit dem Streifenlayout des Unternehmens, um einen der weltweit niedrigsten Widerstände und Gate-Ladungen zu erzielen. Er eignet sich daher für die anspruchsvollsten Wandler mit hohem Wirkungsgrad.Merkmale• 100% Avalanche geprüft• Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung• Niedriger Gate-EingangswiderstandApplikationen• Schaltapplikationen- Shop: reichelt elektronik
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ASUS ROG-STRIX-550G (90YE00A2-B0NA00)
Die Netzteile der ROG-Strix-Serie vereinen High-End-Kühlung und Premium-Komponenten zu einem ultra-leisen Hochleistungsprodukt, das speziell für Core Gamer entwickelt wurde. In Sachen Kühlung kommen massive ROG-Kühlkörper aus der mächtigen ROG-Thor-Serie und das Axial-Tech-Lüfterdesign der hochwertigen NVIDIA-RTX-Grafikkarten zum Einsatz. Unterhalb der Oberfläche sorgen Low RDS (on) MOSFETs und hochwertige japanische Kondensatoren mit Leichtigkeit für eine optimale Stromversorgung. Das Ergebnis ist ein...- Shop: Schäfer Shop
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ASUS ROG-STRIX-650G (90YE00A1-B0NA00)
Die Netzteile der ROG-Strix-Serie verbinden High-End-Kühlung und Premium-Komponenten zu einem ultra-leisen Hochleistungsprodukt, das speziell für Core Gamer entwickelt wurde. In Sachen Kühlung kommen massive ROG-Kühlkörper aus der mächtigen ROG-Thor-Serie und das Axial-Tech-Lüfterdesign der hochwertigen NVIDIA-RTX-Grafikkarten zum Einsatz. Unterhalb der Oberfläche sorgen Low RDS (on) MOSFETs und hochwertige japanische Kondensatoren mit Leichtigkeit für eine optimale Stromversorgung. Das Ergebnis ist ein...- Shop: Schäfer Shop
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ASUS ROG-STRIX-850G (90YE00A3-B0NA00)
Die Netzteile der ROG-Strix-Serie vereinen High-End-Kühlung und Premium-Komponenten zu einem ultra-leisen Hochleistungsprodukt, das speziell für Core Gamer entwickelt wurde. In Sachen Kühlung kommen massive ROG-Kühlkörper aus der mächtigen ROG-Thor-Serie und das Axial-Tech-Lüfterdesign der hochwertigen NVIDIA-RTX-Grafikkarten zum Einsatz. Unterhalb der Oberfläche sorgen Low RDS (on) MOSFETs und hochwertige japanische Kondensatoren mit Leichtigkeit für eine optimale Stromversorgung. Das Ergebnis ist ein...- Shop: Schäfer Shop
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Franco:Reliability of High Mobility SiG
Erscheinungsdatum: 23.08.2016, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications, Auflage: Softcover reprint of the original 1st ed. 2014, Autor: Franco, Jacopo // Groeseneken, Guido // Kaczer, Ben, Verlag: Springer Netherlands // Springer Netherland, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 208, Informationen: Paperback, Gewicht: 324 gr, Verkäufer: averdo- Shop: averdo
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TDK-Lambda DRM40 Hutschienen-Redundanz-Modul (DIN-Rail) 40A Anzahl Ausgänge: 1 x
Die DRM40 Serie ist ein neues, sehr kompaktes Hutschienen-Modul zur Parallel- und Redundanzverschaltung zweier Stromversorgungen. Das Modul hat zwei 10 - 30Vdc-Eingänge mit jeweils 20A Nennstrom und einen Ausgang mit 40A Nennstrom. Der Ausgang kann für bis zu 4s mit 150% Nennlast bei kapazitiver wie induktiver Belastung betrieben werden. Der interne Rückspeiseschutz verursacht dank des Einsatzes von MOSFETs nur 200mV und reduziert damit den Spannungsverlust in den Modulen. Eine LED an der Gerätefront zeigt an, wenn beide Eingangsgeräte denselben Strom liefern und die Last somit gleichmäßig verteilt ist. Die Zulassungen beinhalten IEC/EN/UL60950-1, IEC/EN/UL62368-1, UL508 und CE-Zeichen- Shop: digitalo
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TDK-Lambda DRM40B Hutschienen-Redundanz-Modul (DIN-Rail) 40A Anzahl Ausgänge: 1 x
Die DRM40 Serie ist ein neues, sehr kompaktes Hutschienen-Modul zur Parallel- und Redundanzverschaltung zweier Stromversorgungen. Das Modul hat zwei 10 - 30Vdc-Eingänge mit jeweils 20A Nennstrom und einen Ausgang mit 40A Nennstrom. Der Ausgang kann für bis zu 4s mit 150% Nennlast bei kapazitiver wie induktiver Belastung betrieben werden. Der interne Rückspeiseschutz verursacht dank des Einsatzes von MOSFETs nur 200mV und reduziert damit den Spannungsverlust in den Modulen. Eine LED an der Gerätefront zeigt an, wenn beide Eingangsgeräte denselben Strom liefern und die Last somit gleichmäßig verteilt ist. Die Zulassungen beinhalten IEC/EN/UL60950-1, IEC/EN/UL62368-1, UL508 und CE-Zeichen- Shop: digitalo
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STP13N80K5 - MOSFET N-Kanal + Z-Diode, 800 V, 12 A, Rdson 0,37 Ohm, TO220
N-Kanal 800 V, 0,37 O typ., 12 A MDmesh™ K5 Leistungs-MOSFETs in D²PAK, TO-220FP, TO-220 und TO-247Beschreibung:Diese N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden unter Verwendung der MDmesh™ K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Reduzierung des Durchlasswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.Merkmale:• Branchenweit niedrigste RDS(on)x-Fläche• Bester FoM der Industrie (Zahl der Verdienste)• Ultra-niedrige Gate-Ladung• 100% lawinengeprüft• Zener-geschütztAnwendungen:• Schalt-Anwendungen- Shop: reichelt elektronik
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