136 Results for : 1200v

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    Weishaupt - Spannungsprüfer DUSPOL digital LC Spannungsbereich 1V b. AC 1000V/DC 1200V Gleich- und Wechselspannung
    Spannungsprüfer DUSPOL digital LC Spannungsbereich 1V b. AC 1000V/DC 1200V Gleich- und Wechselspannung
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    • Price: 194.57 EUR excl. shipping
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    BU 2725DF ISC - HF-Bipolartransistor, NPN, 1200V, 12A, 45W, TO-3PML
    Transistor NPN TO-3PML 1200V 12A 45W
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    • Price: 1.80 EUR excl. shipping
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    UJ3D1210TS - SiC-Schottkydiode 1200V, MPS, 10A, Gen-III, TO-220-2L
    Gen-III | 10A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    • Price: 8.13 EUR excl. shipping
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    UJ3D1250K - SiC-Schottkydiode 1200V, MPS, 50A, Gen-III, TO-247-3L
    Gen-III | 50A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    UJ3D1202TS - SiC-Schottkydiode 1200V, MPS, 2A, Gen-III, TO-220-2L
    Gen-III | 2A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    • Price: 2.25 EUR excl. shipping
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    UJ3D1205TS - SiC-Schottkydiode 1200V, MPS, 5A, Gen-III, TO-220-2L
    Gen-III | 5A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 50 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    • Price: 4.82 EUR excl. shipping
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    UJ3D1210KSD - SiC-Dual-Schottkydiode 1200V, MPS, 2x5A, Gen-III, TO-247-3L
    Gen-III | 2x5A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    • Price: 10.05 EUR excl. shipping
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    UJ3D1220KSD - SiC-Dual-Schottkydiode 1200V, MPS, 2x10A, Gen-III, TO-247-3L
    Gen-III | 2x10A - 1200V SiC-Schottky-DiodeBeschreibung:United Silicon Carbide, Inc. bietet die 3. Generation von Hochleistungs-SiC-Merged-PiN-Schottky (MPS)-Dioden an. Mit Null Sperr-Rückgewinnungsladung und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C sind diese Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienz-Leistungssysteme mit minimalem Kühlbedarf geeignet.Eigenschaften:175°C maximale Sperrschicht-BetriebstemperaturEinfache ParallelisierungExtrem schnelles, temperaturunabhängiges SchaltenKeine Rückwärts- oder VorwärtserholungVerbesserte Stoßstromfähigkeit, MPS-StrukturAusgezeichnete thermische Leistung, Ag gesintert100% UIS getestetAEC-Q101-qualifiziertTypische Anwendungen:LeistungswandlerIndustrielle MotorantriebeSchaltnetzteileModule zur BlindleistungskompensationLieferung in kompletter Industrieverpackung (Stangenware a 30 Stück) möglich, sprechen sie mit unserer Angebotsabteilung!
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    • Price: 11.67 EUR excl. shipping
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    EVALM1IM818ATOBO - Evaluierungsboard für CIPOS Maxi IPM, mit 1200V IM818-MCC IPM
    Evaluierungsboard für CIPOS™ Maxi IPM, mit 1200V IM818-MCC IPMBeschreibung:Das Evaluation-Board EVAL-M1-IM818-A wurde entwickelt, um Kunden bei ihren ersten Schritten der Anwendung mit CIPOS™ Maxi IPM zu unterstützen. In Kombination mit Steuerplatinen, die mit dem 20poligen M1-Schnittstellenstecker ausgestattet sind, wie z. B. EVAL-M1-101T oder EVAL-M1-099M, demonstriert es Infineons CIPOS™ Maxi IPM-Technologie für Motorantriebe.Das Evaluation-Board EVAL-M1-IM818-A verfügt über IM818-MCC, eines aus der CIPOS™ Maxi-Produktfamilie, das 1200V TRENCHSTOP™ IGBTs und Emitter Controlled Diodes mit einem optimierten 6-Kanal-SOI-Gate-Treiber kombiniert. Er ist für industrielle Anwendungen wie Hochspannungslüfter für Lüftungs- und Klimaanlagen (HVAC), Lüftermotoren, Pumpen und Motorantriebe optimiert. Mehr über iMOTION™ auf der MADK-Plattform!Merkmale:• Einsatzbereite Leistungsstufe mit 1200 V IPM zum Antrieb eines 3-Phasen-Motors• Nominale Eingangsspannung 380 Vac• Maximal 1,5 kW Ausgangsleistung mit Kühlung• Eingebauter EMI-Filter• Überstromschutz• Schutz vor Übertemperatur• Standard MADK M1 20pin-Schnittstellenstecker• Strommessung für jedes Bein standardmäßig konfiguriert• Erfassung der DC-Zwischenkreisspannung• Mess-Prüfpunkte kompatibel zu Standard-Oszilloskop-Tastköpfen• Die Leiterplatte ist 197 mm x 140 mm groß und hat zwei Lagen mit jeweils 35 µm Kupfer• RoHS-konformLeistungen:• Evaluieren Sie das IM818-MCC IPM-Modul für Ihre Anwendung• Bringen Sie Ihren Motor in Kombination mit dem Eval-M1-101T innerhalb einer Stunde zum Laufen• Erfahren Sie mehr über Motorsteuerung im HochspannungsbereichZielanwendungen:• Motor- und Steuerantriebe• HVAC-Pumpen• HVAC-Belüftung
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    • Price: 325.50 EUR excl. shipping
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    UF3C120040K3S - SiC-Kaskode-FET, 1200V, 65A, Rdson 0,035R , TO-247-3L
    1200V SiC-MOSFET-Casecode 35mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 35mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung
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    • Price: 34.62 EUR excl. shipping

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