363 Results for : mosfets

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    Dimmer Din-LED-Mosfets für LED und CFL dimmbare TE7736 - Tecnel
    Dimmer Tecnel Din-LED-Mosfets für LED und CFL dimmbare TE7736 Dimmer Din-LED-modul Mosfet-umschaltbar für dimmbare LEDS (4 bis 100W und 230vac Umschaltbar für elektronische transformatoren dimmbar, ringkerntrafos voll und groß voll beladen mit LED bei geringer spannung von 4 bis 100W und 230vac Adattebili für glühlampen und halogenlampen von 4 bis 100W und 230 Vac Umschaltbar mit oder ohne erinnerung der letzten stufe der erleuchtung Einfällt, wie zeitschaltuhr oder relais schritt-für-schritt statischen leise und zeitgesteuert. Befehl schaltflächen im zusammenhang mit der phase oder dem nullleiter oder mit einem signal von 1 v Dc. Auf anfrage funktion: Timer mit vorwarnung ausschalten. Einstellung der mindest-beleuchtung serienmäßig.
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    De:Short Channel MOSFETs
    Erscheinungsdatum: 14.06.2016, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Short Channel MOSFETs, Titelzusatz: A modeling approach, Autor: De, Swapnadip // Chanda, Manash, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Technik // Sonstiges, Seiten: 80, Informationen: Paperback, Gewicht: 136 gr, Verkäufer: averdo
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    Singh:Design of Nano-Scale SOI-MOSFETs
    Erscheinungsdatum: 13.12.2014, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Design of Nano-Scale SOI-MOSFETs for Low Power GHz Wireless Systems, Titelzusatz: Optimally Designed and Optimally Biased Nanoscale-SOI MOSFETS for Low Power Wireles Systems, Autor: Singh, Indra Vijay // Alam, Muhmmad Shah, Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Schlagworte: Elektronik // Nachrichtentechnik, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 220, Informationen: Paperback, Gewicht: 344 gr, Verkäufer: averdo
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    Lee:Ge-based channel MOSFETs
    Erscheinungsdatum: 10/2011, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Ge-based channel MOSFETs, Titelzusatz: Process Integration and Performance Evaluation for Sub-22nm Node Digital CMOS Logic Technology, Autor: Lee, Se-hoon, Verlag: LAP Lambert Acad. Publ., Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 160, Informationen: Paperback, Gewicht: 255 gr, Verkäufer: averdo
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    Miura-Mattausch, Mitiko: PHYSICS AND MODELING OF MOSFETS, THE
    Erscheinungsdatum: 05.06.2008, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: PHYSICS AND MODELING OF MOSFETS, THE, Titelzusatz: SURFACE-POTENTIAL MODEL HISIM, Autor: Miura-Mattausch, Mitiko // Mattausch, Hans Jurgen // Ezaki, Tatsuya, Verlag: World Scientific Publishing Company, Sprache: Englisch, Schlagworte: TECHNOLOGY & ENGINEERING // Electronics // Circuits // General, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 380, Informationen: Paperback, Gewicht: 549 gr, Verkäufer: averdo
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    Miura-Mattausch, Mitiko: PHYSICS AND MODELING OF MOSFETS, THE
    Erscheinungsdatum: 05.06.2008, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: PHYSICS AND MODELING OF MOSFETS, THE, Titelzusatz: SURFACE-POTENTIAL MODEL HISIM, Autor: Miura-Mattausch, Mitiko // Mattausch, Hans Jurgen // Ezaki, Tatsuya, Verlag: World Scientific Publishing Company, Sprache: Englisch, Schlagworte: TECHNOLOGY & ENGINEERING // Electronics // Circuits // General, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 380, Informationen: Paperback, Gewicht: 549 gr, Verkäufer: averdo
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    Gimenez, Salvador Pinillos: Layout Techniques for MOSFETs
    Erscheinungsdatum: 24.03.2016, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Layout Techniques for MOSFETs, Autor: Gimenez, Salvador Pinillos, Verlag: Morgan & Claypool Publishers, Sprache: Englisch, Schlagworte: TECHNOLOGY & ENGINEERING // General, Rubrik: Technik allgemein, Seiten: 82, Informationen: Paperback, Gewicht: 172 gr, Verkäufer: averdo
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    Yang:Simulation of MOSFETs BJTs and JFE
    Erscheinungsdatum: 01/2012, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs, Titelzusatz: at and near the Pinch-off Region, Autor: Yang, Xuan // Schroder, Dieter K., Verlag: LAP Lambert Academic Publishing, Sprache: Englisch, Rubrik: Elektronik // Elektrotechnik, Nachrichtentechnik, Seiten: 100, Informationen: Paperback, Gewicht: 165 gr, Verkäufer: averdo
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    ESR02 Pro Transistor Tester Multifunktionaler digitaler Tester Diode Triode Widerstand Kapazität Induktivität MOSFET NPN PNP Triac MOS Detektor,Ohne
    Der Tester ist ein kleines Werkzeugdesign für Ingenieur, elektronische Wartung und Fabrik. Es ist sehr einfach, Plug-In- und SMD-Geräte zu testen. Außerdem können verschiedene Arten von Dioden, Trioden, Thyristoren und MOSFETs getestet werden. In der Lage, den Gerätetyp, die Polarität des Stifts, den Ausgang hFE, die Ventilspannung und die Sperrschichtkapazität des PET zu analysieren. Eigenschaften: Automatische Erkennung von NPN- und PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, Doppeldioden, Thyristoren und Triacs. Messung des Stromverstärkungsfaktors und der Basis-Emitter-Schwellenspannung von Bipolartransistoren. Detektion der Schutzdiode von Bipolartransistoren und MOSFETs. Messung der Gate-Schwellenspannung und des Gate-Kapazitätswerts von MOSFETs. Der Induktivitätsmessbereich liegt zwischen 0,01 mH und 20 H, außerhalb des Bereichs oder wenn der Widerstand höher als 2,1 kΩ am Widerstand angezeigt wird. Die Testzeit beträgt ca. 2 Sekunden. Nur die Messung der
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    ESR02 Pro Transistor Tester Multifunktionaler digitaler Tester Diode Triode Widerstand Kapazität Induktivität MOSFET NPN PNP Triac MOS Detektor mit
    Der Tester ist ein kleines Werkzeugdesign für Ingenieur, elektronische Wartung und Fabrik. Es ist sehr einfach, Plug-In- und SMD-Geräte zu testen. Außerdem können verschiedene Arten von Dioden, Trioden, Thyristoren und MOSFETs getestet werden. In der Lage, den Gerätetyp, die Polarität des Stifts, den Ausgang hFE, die Ventilspannung und die Sperrschichtkapazität des PET zu analysieren. Eigenschaften: Automatische Erkennung von NPN- und PNP-Bipolartransistoren, N- und P-Kanal-MOSFETs, JFETs, Dioden, Doppeldioden, Thyristoren und Triacs. Messung des Stromverstärkungsfaktors und der Basis-Emitter-Schwellenspannung von Bipolartransistoren. Detektion der Schutzdiode von Bipolartransistoren und MOSFETs. Messung der Gate-Schwellenspannung und des Gate-Kapazitätswerts von MOSFETs. Der Induktivitätsmessbereich liegt zwischen 0,01 mH und 20 H, außerhalb des Bereichs oder wenn der Widerstand höher als 2,1 kΩ am Widerstand angezeigt wird. Die Testzeit beträgt ca. 2 Sekunden. Nur die Messung der
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