77 Results for : to247

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    Infineon Technologies SGW25N120 IGBT TO247-3-PG Einzeln Standard 1200 V
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    • Shop: Conrad Electronic
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    Infineon Technologies SGW25N120 IGBT TO247-3-PG Einzeln Standard 1200V
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    • Shop: digitalo
    • Price: 6.26 EUR excl. shipping
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    SCS215AEC - SiC-Schottkydiode, 650V, 15A, TO247
    Merkmale• kürzere Erholungszeit• reduzierte Temperaturabhängigkeit• Hochgeschwindigkeitsschaltung möglichAnwendungen• PFC Verstärkertopologie• Data Zentrum• PV Power Conditioner
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 5.19 EUR excl. shipping
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    SCS220AEC - SiC-Schottkydiode, 650V, 20A, TO247
    Merkmale• kürzere Erholungszeit• reduzierte Temperaturabhängigkeit• Hochgeschwindigkeitsschaltung möglichAnwendungen• PFC Verstärkertopologie• Data Zentrum• PV Power Conditioner
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 7.15 EUR excl. shipping
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    IDW10G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 10A, TO247
    5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 7.55 EUR excl. shipping
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    IDW12G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 12A, TO247
    5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 4.73 EUR excl. shipping
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    IDW20G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 20A, TO247
    5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung
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    • Price: 12.95 EUR excl. shipping
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    IDW40G65C5 - SiC-Schottkydiode, 650V, 40A, TO247
    5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie von Infineon für die SiC Schottky Barrieredioden. Das bereits mit G3 eingeführte Infineon-eigene Diffusionslötverfahren wird nun mit einem neuen, kompakteren Design und einer Dünnwafer-Technologie kombiniert. Das Ergebnis ist eine neue Produktfamilie mit verbessertem Wirkungsgrad über alle Lastbedingungen, die sowohl auf die verbesserten thermischen Eigenschaften als auch auf einen niedrigeren Leistungswert (Qc x Vf) zurückzuführen ist. Die neue thinQ!™ Generation 5 wurde als Ergänzung zur 650V CoolMOS™ Familien entwickelt: Dies gewährleistet die Erfüllung höchster Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich.Merkmale• revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid• hervorragendens Schaltverhalten• keine Rückwärtswiederherstellung / keine Vorwärtswiederherstellung• positiver Temperaturkoeffizient• hohe Stoßstromfestigkeit• bleifreie Verbleiung; RoHS-konform• qualifiziert nach JEDEC• Durchschlagsspannung geprüft bei 11 mA2)• optimiert für den HochtemperaturbetriebVorteile• verbesserung der Systemeffizienz gegenüber Si-Dioden• Systemkosten-/Größeneinsparungen durch reduzierten Kühlbedarf• ermöglicht Lösungen mit höherer Frequenz / erhöhter Leistungsdichte• höhere Systemzuverlässigkeit durch niedrigere Betriebstemperaturen• reduzierte EMIAnwendungen• Schaltnetzteile• Leistungsfaktorkorrektur• Solarwechselrichter• unterbrechungsfreie Stromversorgung
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    • Price: 15.17 EUR excl. shipping
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    C3D25170H - SiC-Schottkydiode, 1700V, 26,3A, TO247-2
    Merkmale• 1700-Volt Schottky-Gleichrichter• Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom• Null-Wiederherstellungsspannung• Hochfrequenzbetrieb• positiver Temperaturkoeffizient• extrem schnelles Umschalten• halogenfrei; RoHS-konformVorteile• ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter• minimale Schaltverluste• höhere Effizienz• Reduzierung des Kühlkörperbedarfs• parallele Geräte ohne thermische Ausreißer
    • Shop: reichelt elektronik
    • Price: 61.88 EUR excl. shipping
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    C3D16060D - SiC-Dual-Schottkydiode, 600V, 22A (2x11), TO247
    Merkmale• 600-Volt Schottky-Gleichrichter• Null-Rückwärts-Rückgewinnungsstrom• Null-Wiederherstellungsspannung• Hochfrequenzbetrieb• positiver Temperaturkoeffizient• extrem schnelles Umschalten• positiver Temperaturkoeffizient auf VF - vollständig isoliertes GehäuseVorteile• ersetzen Sie bipolare durch unipolare Gleichrichter• minimale Schaltverluste• höhere Effizienz• Reduzierung des Kühlkörperbedarfs• parallele Geräte ohne thermische AusreißerAnwendungen• Schaltnetzteilee (SMPS)• Boost-Dioden in PFC- oder DC/DC-Stufen• Freilaufdioden in Wechselrichterstufen• AC/DC-Wandler
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    • Price: 5.75 EUR excl. shipping

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